Herramienta de litografía ultravioleta extrema (crédito: Lawrence Livermore National Laboratory/Wikimedia Commons)
La Ley de Moore pierde fuerza debido al retraso en la introducción de la siguiente generación de litografía ultravioleta extrema (EUV por sus siglas en inglés), opinaron expertos en el Simposio Internacional 2012 Sobre Litografía Ultravioleta Extrema, reportó EE Times.
Los sistemas EUV requieren fuentes de luz 20 veces más potentes que las utilizadas actualmente para establecer patrones en la siguiente generación de chips de tamaño tan pequeño como los 14nm. Expertos en litografía dicen que tienen la esperanza de contar con fuentes de luz de 200W alrededor del 2014, pero podría tomar un tiempo mayor.
Los investigadores han mejorado el poder de las fuentes de luz en 20 veces durante los últimos tres años. Sin embargo, el esfuerzo debe ser igualmente heroico en los siguientes dos años antes que la EUV esté lista para utilizarse en producción, indicó Kurt Ronse, director del programa avanzado de litografía. Este grupo hizo un llamado para el desarrollo de fuentes de luz en un rango de 500 a 1000W EUV para el 2016.
Un resultado directo de este atraso es que “la industria del semiconductor no está dando pasos completos, sino más bien implementa medios nodos”, dijo Ronse. “Aún lo llaman 14nm pero es muy probable que sea 16 o 17nm”, indicó.
Por ejemplo, las celdas SRAM no lograrán un 50 por ciento completo de reducción a 14nm sin EUV, opinó Ronse. Eso es debido a que patrones múltiples tienen límites en la cercanía que puede colocar cada característica.
Recientemente, también Intel ha dicho que espera lograr chips de 14nm el año entrante y podría fabricar procesadores de 10nm para el 2015 utilizando la actual tecnología de litografía de inmersión.
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