Investigadores del U.S. Department of Energy’s Lawrence Berkeley National Laboratory (Berkeley Lab) y la Universidad de California (UC) Berkeley,
han integrado satisfactoriamente capas ultradelgadas del semiconductor indium arsenide en una capa de silicón para crear un transistor a nanoescala (hasta 10 nanómetros de capa de silicón).
La fabricación de un dispositivo con óxido de indium se muestra aquí.
El material, con movilidad y velocidad superior de sus electrones, se convierte así en un candidato fuerte para futuros aparatos electrónicos de
bajo poder.
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