Investigadores de la Universidad de California, en Berkeley, han desarrollado un método confiable de fabricar transistores nanoscopicos de bajo consumo de poder y veloces de el indium arsenide. Su método es más simple, y promete ser más barato, y requiere menos poder para operar a mayores velocidades, comparado con los métodos actuales que usan silicón.
Nanobandas de indium arsenide.
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